Aujourd'hui, la loi de Moore est affect e par les limitations physiques rencontr es dans les technologies avanc es entrainant ainsi leur complexification. Il devient alors n cessaire de d velopper de nouveaux proc d s, comme illustr dans le cas de l' pitaxie. Parce que les proc d s CVD sont devenus tr s performants, ils offrent des solutions technologiques qui permettent de poursuivre la miniaturisation des composants gr ce leur int gration d cisive dans ces technologies. L'objectif de cette th se est donc de r pondre cette demande de nouveaux proc d s par l' tude de l' laboration de nano-objets Si & SiGe r alis s par RTCVD. Dans cet ouvrage, nous discutons des caract ristiques physiques des films Si & SiGe d pos s (ou grav s) en fonction de param tres physiques (orientation cristalline, temp rature...) et de param tres li s aux imp ratifs de production (effets de charge, choix d'un proc d ...). Dans une derni re partie, nous pr sentons l'effet de recuits sur des objets Si & SiGe de g om trie et de taille diff rentes. L'ensemble de nos r sultats nous a alors permis d'int grer efficacement une tape d' pitaxie dans la fabrication d'un dispositif avanc ; le transistor FinFET.