A reducao das dimensoes dos dispositivos semicondutores para escalas submicrometricas impoe diversos desafios no projeto de circuitos integrados. O impacto das variacoes intrinsecas afetando parametros eletricos cresce em importancia a medida que a area dos dispositivos adentra a faixa nanometrica. Dentre essas variacoes estao flutuacoes nas tensoes e correntes de terminal causadas pelas diferentes formas de ruido intrinseco dos dispositivos MOS. Este trabalho apresenta um estudo sobre o impacto do ruido eletrico no desempenho de circuitos MOS. Um novo modelo para simulacao do Random Telegraph Signal (RTS) no dominio do tempo e utilizado. Uma metodologia de simulacao para contabilizar o ruido termico em simulacoes transientes tambem e proposta. A partir desses modelos de simulacao de dispositivos, o trabalho de pesquisa analisa o impacto da variabilidade de parametros eletricos em nivel de circuito. As simulacoes focam na caracterizacao da pureza espectral em osciladores em anel de sinal diferencial. Diversas topologias sao apresentadas e posteriormente comparadas em termos do jitter no periodo de oscilacao."