V pervoy chasti opisany metody modelirovaniya tverdotel'nykh struktur, rassmotreny svoystva sovremennykh poluprovodnikovykh materialov; daetsya analiz ikh elektricheskikh svoystv cherez raschet vremen relaksatsii dlya razlichnykh vidov rasseyaniya, spetsifika kotorykh opredelyaetsya elektronnymi i fononnymi zakonami dispersii; obsuzhdayutsya effekty perenosa goryachikh elektronov v sil'nom elektricheskom pole. Rassmotreny osobennosti raboty i modelirovaniya submikronnykh polevykh tranzistorov s bar'erom Shottki, v tom chisle v rezhime bol'shogo signala. Prednaznacheno dlya studentov po napravleniyu Mikro- i nanoelektronika, mozhet byt' polezno studentam drugikh spetsial'nostey i aspirantam vuzov, no avtory nadeyutsya, chto ono smozhet predstavit' interes dlya chitateley, svyazannykh s SVCh elektronikoy.